參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18008BS
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/65頁
文件大?。?/td> 503K
代理商： MJE18008BS
Selector Guide
2–10
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type) (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min
0.5
350
2N5657
30/250
0.1
3.5 typ
0.24 typ
0.1
10
20
BD159
30/240
0.05
20
1
40
2N4921
2N4918
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
60
2N4922
2N4919
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
80
2N4923
2N4920
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
1.5
45
BD165
BD166
15 min
0.5
6
20
BD135
BD136
40/250
0.15
12.5
60
BD137
BD138
40/250
0.15
12.5
80
BD169
15 min
0.5
6
20
BD139
BD140
40/250
0.15
12.5
BD140–10
63/160
0.15
12.5
300
MJE13002 (11)
5/25
1
4
0.7
1
5
40
400
MJE13003 (11)
5/25
1
4
0.7
1
5
40
2
80
BD237
BD238
25 min
1
3
25
100
MJE270 (2)(11)
MJE271 (2)(11)
1.5k min
0.12
6
15
3
60
MJE181
MJE171
50/250
0.1
0.6 typ
0.12 typ
0.1
50
12.5
80
BD179
BD180
40/250
0.15
3
30
MJE182
MJE172
50/250
0.1
0.6 typ
0.12 typ
0.1
50
12.5
200
BUY49P
30 min
0.5
25
20
4
40
MJE521
MJE371
40 min
1
40
45
BD437
BD438
40 min
2
3
36
BD776 (2)
750 min
2
20
15
60
BD440
25 min
2
3
36
BD677 (2)
BD678 (2)
750 min
1.5
40
BD677A (2)
BD678A (2)
750 min
2
40
BD787
BD788
20 min
2
50
15
BD777 (2)
BD778 (2)
750 min
2
20
15
2N5191
2N5194
25/100
1.5
0.4 typ
1.5
2
40
MJE800 (2)
MJE700 (2)
750 min
1.5
1(1)
40
2N6038 (2)
2N6035 (2)
750/18k
2
1.7 typ
1.2 typ
2
25
40
80
2N5192
2N5195
25/100
1.5
0.4 typ
1.5
2
40
BD441
BD442
15 min
2
3
36
BD679 (2)
BD680 (2)
750 min
1.5
40
BD679A (2)
BD680A (2)
750 min
2
40
BD789
BD790
10 min
2
40
15
(1) |hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(11)Case 77, Style 3
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18008AK 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008AN 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BV 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008AU 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008AS 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE18008G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
MJE180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE180PWD 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJE180STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*