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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE18008BA |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/65頁(yè) |
| 文件大小： | 503K |
| 代理商： | MJE18008BA |
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Selector Guide
2–8
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 3. Plastic TO–218 Type (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
15
60
TIP3055
TIP2955
5 min
10
2.5
80
150
MJH11018 (2)
MJH11017 (2)
400/15k
10
3
150
200
MJH11020 (2)
MJH11019 (2)
400/15k
10
3
150
250
MJH11022 (2)
MJH11021 (2)
400/15k
10
3
150
400
BUV48
8 min
10
2
0.4
10
150
450
BUV48A
8 min
8
2
0.4
10
150
16
140
MJE4342
MJE4352
15 min
8
1.2 typ
8
1
125
160
MJE4343
MJE4353
15 min
8
1.2 typ
8
1
125
20
60
MJH6282(2)
MJH6285(2)
750/18k
10
4
125
100
MJH6284 (2)
MJH6287 (2)
750/18k
10
4
125
25
80
TIP35A
TIP36A
15/75
15
0.6 typ
0.3 typ
10
3
125
100
BD249C
BD250C
10 min
15
3
125
TIP35C
TIP36C
15/75
15
0.6 typ
0.3 typ
10
3
125
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Table 4. Isolated Mounting Hole — Plastic TO–247 Type
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
VCES
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
10
650
1500
MJW16212
4/10
10
4(3)
0.5(3)
5.5
150
800
1500
MJW16018
4 min
5
4.5 typ
0.2 typ
5
3 typ
150
12
500
1200
MJW16206
5/13
10
2.25
0.25
6.5
3 typ
150
15
450
850
MJW16010
5 min
15
1.2 typ
0.2 typ
10
150
850
MJW16012
7 min
15
0.9 typ
0.15 typ
10
150
500
1000
MJW16010A
5 min
15
3
0.4
10
150
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(10)Tested in Applications simulator: see Data Sheet.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
CASE 340F
(TO–247 Type)
1
3
2
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE18008G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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