參數(shù)資料
型號： MJE18006BU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 63/65頁
文件大?。?/td> 498K
代理商： MJE18006BU
MJE18006 MJF18006
3–740
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.01
t, TIME (ms)
Figure 20. Typical Thermal Response (Z
θJC(t)) for MJE18006
r(t)
,TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
R
θJC(t) = r(t) RθJC
R
θJC = 1.25°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.2
0.02
0.1
D = 0.5
SINGLE PULSE
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
0.01
Figure 21. Typical Thermal Response (Z
θJC(t)) for MJF18006
r(t)
,TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
R
θJC(t) = r(t) RθJC
R
θJC = 3.12°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.2
0.1
SINGLE PULSE
0.01
0.1
1
10
100
100000
0.1
1
1000
10000
0.05
0.02
0.05
D = 0.5
TYPICAL THERMAL RESPONSE
t, TIME (ms)
相關PDF資料
PDF描述
MJE18006BS 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BG 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BA 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BU 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BS 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJE18006G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
MJE180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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