參數(shù)資料
型號： MJE18006BG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 23/65頁
文件大?。?/td> 498K
代理商： MJE18006BG
MJE18006 MJF18006
3–736
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0.01
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base–Emitter Saturation Region
Figure 6. Capacitance
10
1
110
100
10
1
0.01
0.1
1
10
2
0.01
IB, BASE CURRENT (AMPS)
10
1
0.01
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1.3
1
0.8
0.4
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1
10
1000
100
1
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1
1000
1
0
0.1
110
10000
10
0.1
1
10
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
VCE = 1 V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
VCE = 5 V
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC/IB = 10
IC/IB = 5
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.1
0.9
0.6
0.5
1.5
1.2
TJ = 25°C
IC = 1 A
3 A
5 A
6 A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 5
IC/IB = 10
2 A
100
0.7
Cib
Cob
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
TJ = 25°C
f = 1 MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MJE18008 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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