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參數(shù)資料
| 型號： | MJE18004D2DW |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 45/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 534K |
| 代理商： | MJE18004D2DW |
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MJE18004D2
3–728
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 8. Base–Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
IC/IB = 10
1
IC/IB = 5
Figure 9. Base–Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 10. Forward Diode Voltage
10
1
0.1
10
0.1
0.01
REVERSE EMITTER–COLLECTOR CURRENT (AMPS)
125
°C
25
°C
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
FOR
W
ARD
DIODE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
1
IC/IB = 20
Figure 11. Capacitance
1000
10
100
10
1
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
100
Cib (pF)
Cob
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
Figure 12. BVCER = f(RBE)
1200
600
1000
100
10
BASE–EMITTER RESISTOR (
)
COLLECT
OR
EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
TC = 25°C
BVCER @ ICER = 10 mA
1000
800
BVCER(sus) @
ICER = 200 mA,
Lc = 25 mH
1
TJ = 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MJE18004G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18006 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 450V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18006G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18008 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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