參數(shù)資料
型號(hào): MJE18004D2BV
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 34/67頁(yè)
文件大小: 534K
代理商: MJE18004D2BV
MJE18004D2
3–727
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
100
10
1
10
1
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
VCE = 1 V
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volt
100
10
1
10
1
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
VCE = 5 V
Figure 3. Collector Saturation Region
3
2
0
10
1
0.1
0.01
IB, BASE CURRENT (mA)
IC = 500 mA
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.1
10
1
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
IC/IB = 5
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
TJ = 25°C
1 A
5 A
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
IC/IB = 10
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
IC/IB = 20
4 A
3 A
2 A
TJ = 25°C
1
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PDF描述
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MJE18004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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