- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98018 > MJE18004D2BU (ON SEMICONDUCTOR) 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MJE18004D2BU |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 65/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 534K |
| 代理商： | MJE18004D2BU |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁當前第65頁第66頁第67頁
MJE18004D2
3–730
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
,ST
ORAGE
TIME
(
t si
s)
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Figure 19. Inductive Switching, tc @ IC/IB = 10
1600
800
0
4
2
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t,TIME
(ns)
1200
TJ = 125°C
TJ = 25°C
400
13
IC/IB = 10
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
Figure 20. Inductive Storage Time
5
2
20
0
hFE, FORCED GAIN
4
3
510
15
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC = 2 A
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
IC = 1 A
Figure 21. Inductive Fall Time
1000
0
20
8
2
hFE, FORCED GAIN
Figure 22. Inductive Crossover Time
2000
500
0
20
8
2
hFE, FORCED GAIN
1500
1000
600
t fi
,F
ALL
TIME
(ns)
t c
,CROSSOVER
TIME
(ns)
800
400
200
4
6
10
12
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
14
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
TJ = 125°C
TJ = 25°C
14
16
18
IC = 1 A
IC = 2 A
IC = 1 A
Figure 23. Inductive Storage Time, tsi
4
2
1
4
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
1
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
3
t,TIME
(
s)
2
2.5
3
3.5
IB = 50 mA
IB = 100 mA
IB = 200 mA
IB = 500 mA IB = 1 A
Figure 24. Forward Recovery Time, TFR
420
300
2
1
0.5
0
IF, FORWARD CURRENT (AMP)
dI/dt = 10 A/
s
TC = 25°C
1.5
t fr
,FOR
W
ARD
RECOVER
Y
TIME
(ns)
380
340
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18004D2BS | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18004D2AU | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18004D2AS | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18004D2AK | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18004D2AJ | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE18004D2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18006 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 450V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18006G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18008 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。