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參數(shù)資料
| 型號： | MJE18004BG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 34/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 504K |
| 代理商： | MJE18004BG |
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MJE18004 MJF18004
3–718
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.01
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base–Emitter Saturation Region
Figure 6. Capacitance
10
1
1.00
10.00
100
10
1
0.01
0.10
1.00
10.00
2.0
0.01
IB, BASE CURRENT (AMPS)
10.00
1.00
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.10
1.1
1.0
0.8
0.4
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.10
1.00
10.00
1000
100
1
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1
100
1.0
0
0.10
1.00
10.00
10000
10
0.10
1.00
10.00
10
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.9
0.6
0.5
1.5
0.7
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
VCE = 1 V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
VCE = 5 V
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
TJ = 25°C
IC = 0.5 A
1 A
1.5 A
2 A
3 A
4 A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
Cib
Cob
TJ = 25°C
f = 1 MHz
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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