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參數(shù)資料
| 型號： | MJE18004BA |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 504K |
| 代理商： | MJE18004BA |
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MJE18004 MJF18004
3–717
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25_C unless otherwise specified)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 H)
Fall Time
(IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.1 Adc,
IB2 = 0.5 Adc)
(TC = 125°C)
tfi
—
100
150
—
ns
Storage Time
(TC = 125°C)
tsi
—
1.1
1.4
1.7
—
s
Crossover Time
(TC = 125°C)
tc
—
180
160
250
—
ns
Fall Time
(IC = 2.0 Adc, IB1 = 0.4 Adc,
IB2 = 1.0 Adc)
(TC = 125°C)
tfi
—
90
150
175
—
ns
Storage Time
(TC = 125°C)
tsi
—
1.7
2.2
2.5
—
s
Crossover Time
(TC = 125°C)
tc
—
180
250
300
—
ns
Fall Time
(IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc,
IB2 = 0.5 Adc,
VBE( ff)
5 0 Vdc)
(TC = 125°C)
tfi
—
70
100
130
175
ns
Storage Time
VBE(off) = – 5.0 Vdc)
(TC = 125°C)
tsi
—
0.75
1.0
1.0
1.3
s
Crossover Time
(TC = 125°C)
tc
—
250
350
500
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18004AS | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18004DW | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18004BG | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18004AJ | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18004BS | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE18004D2 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004D2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18006 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 450V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18006G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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