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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE18004AJ |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 504K |
| 代理商： | MJE18004AJ |
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MJE18004 MJF18004
3–716
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25_C unless otherwise specified)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 2.0 Adc, IB = 0.4 Adc)
VBE(sat)
—
0.82
0.92
1.1
1.25
Vdc
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
(IC = 2.0 Adc, IB = 0.4 Adc)
(IC = 2.5 Adc, IB = 0.5 Adc)
(TC = 125_C)
VCE(sat)
—
0.25
0.29
0.3
0.36
0.5
0.5
0.6
0.45
0.8
0.75
Vdc
DC Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 2.5 Vdc)
DC Current Gain (IC = 0.3 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
DC Current Gain (IC = 2.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
DC Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(TC = 125_C)
hFE
12
—
14
—
6.0
—
10
21
20
—
32
11
7.5
22
—
34
—
—
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
fT
—
13
—
MHz
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
50
65
pF
Input Capacitance (VEB = 8.0 V)
Cib
—
800
1000
pF
Dynamic Saturation Voltage:
Determined 1 0
s and
(IC = 1.0 Adc
IB1 = 100 mAdc
1.0
s
(TC = 125°C)
VCE(dsat)
—
6.8
14
—
Vdc
Determined 1.0
s and
3.0
s respectively after
rising IB1 reaches 90% of
IB1 = 100 mAdc
VCC = 300 V)
3.0
s
(TC = 125°C)
—
2.4
5.6
—
g B1
final IB1
(see Figure 18)
(IC = 2.0 Adc
IB1 = 400 mAdc
1.0
s
(TC = 125°C)
—
11.3
15.5
—
IB1 = 400 mAdc
VCC = 300 V)
3.0
s
(TC = 125°C)
—
1.3
6.1
—
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C.
v 10%, Pulse Width = 20 s)
Turn–On Time
(IC = 1.0 Adc, IB1 = 0.1 Adc,
IB2 = 0.5 Adc, VCC = 300 V)
(TC = 125°C)
ton
—
210
180
300
—
ns
Turn–Off Time
(TC = 125°C)
toff
—
1.0
1.3
1.7
—
s
Turn–On Time
(IC = 2.0 Adc, IB1 = 0.4 Adc,
IB1 = 1.0 Adc, VCC = 300 V)
(TC = 125°C)
ton
—
75
90
110
—
ns
Turn–Off Time
(TC = 125°C)
toff
—
1.5
1.8
2.5
—
s
Turn–On Time
(IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc,
IB2 = 0.5 Adc, VCC = 250 V)
(TC = 125°C)
ton
—
450
900
800
1400
ns
Storage Time
(TC = 125°C)
ts
—
2.0
2.2
3.0
3.5
s
Fall Time
(TC = 125°C)
tf
—
275
500
400
800
ns
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| MJE18004G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18006 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 450V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18006G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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