- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98018 > MJE18002D2BD (ON SEMICONDUCTOR) 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE18002D2BD |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 365K |
| 代理商： | MJE18002D2BD |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當(dāng)前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁
MJE18002D2
3–714
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C.
≤ 10%, Pulse Width = 20 s)
Turn–on Time
IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc
IB2 =0 5Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
100
94
150
ns
Turn–off Time
IB2 = 0.5 Adc
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
0.95
1.5
1.25
s
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 H)
Fall Time
I0 4 Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
130
120
175
ns
Storage Time
IC = 0.4 Adc
IB1 = 40 mAdc
IB2 = 0.2 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
0.55
0.7
0.65
s
Crossover Time
IB2 0.2 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
110
100
175
ns
Fall Time
I0 8 Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
130
140
175
ns
Storage Time
IC = 0.8 Adc
IB1 = 160 mAdc
IB2 = 160 mAdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
2.1
3
2.4
s
Crossover Time
IB2 160 mAdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
275
350
350
ns
Fall Time
I1 Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
100
150
ns
Storage Time
IC = 1 Adc
IB1 = 0.2 Adc
IB2 = 0.5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
1.05
1.45
1.2
s
Crossover Time
IB2 0.5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
100
115
150
ns
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
Dynamic Saturation
Vlt
IC = 0.4 Adc
IB1 =40mA
@ 1
s
@ TC = 25°C
VCE(dsat)
7.4
V
Voltage:
Determined 1
s and
IB1 = 40 mA
VCC = 300 V
@ 3
s
@ TC = 25°C
2.5
3
s respectively after
rising IB1 reaches
IC = 1 Adc
IB1 =0 2A
@ 1
s
@ TC = 25°C
11.7
g B1
90% of final IB1
IB1 = 0.2 A
VCC = 300 V
@ 3
s
@ TC = 25°C
1.3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18002DW | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18002BU | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18002AS | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18002AN | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18002BA | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE18002G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 450V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004D2 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004D2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。