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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE18002D2AN |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 365K |
| 代理商： | MJE18002D2AN |
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MJE18002D2
3–713
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
VCEO(sus)
450
570
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
ICEO
100
Adc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICES
100
500
100
Adc
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
100
Adc
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc)
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
@ TC = 25°C
VBE(sat)
0.78
0.87
1
1.1
Vdc
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VCE(sat)
0.36
0.5
0.6
1
Vdc
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.4
0.65
0.75
1.2
DC Current Gain
(IC = 0.4 Adc, VCE = 1 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
hFE
14
8
25
15
—
(IC = 1 Adc, VCE = 1 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
6
4
10
6
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
fT
13
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob
50
100
pF
Input Capacitance
(VEB = 8 Vdc)
Cib
340
500
pF
DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
(IEC = 1 Adc)
@ TC = 25°C
VEC
1.2
1.5
V
(IEC = 0.2 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.9
0.6
1.2
(IEC = 0.4 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
1
0.6
1.3
Forward Recovery Time
(IF = 0.2 Adc, di/dt = 10 A/s)
@ TC = 25°C
tfr
540
ns
(IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/s)
@ TC = 25°C
517
(IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/s)
@ TC = 25°C
480
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PDF描述 |
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| MJE18004 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18004D2 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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