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參數(shù)資料
| 型號： | MJE16002AJ |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 56/65頁 |
| 文件大小： | 502K |
| 代理商： | MJE16002AJ |
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MJE16002 MJE16004
3–693
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
I C
,C
OLLE
CT
OR
C
URREN
T
(AMPS
)
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMPS)
I C(pk)
10
0
1000
100
500
βf ≥ 4
TJ ≤ 100°C
850
VBE(off) = 1.0 to 5.0 V
0
VCE(pk), PEAK COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
200
700
VBE(off) = 0 V
10
s
1.0 ms
dc
10
7.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
450
2.0
1.0
5.0
0.5
0.05
0.02
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
30
70 100
200
TC = 25°C
0.2
0.01
Figure 16. Maximum Rated Forward Bias
Safe Operating Area (MJE16002 and MJE16004)
300
5.0
20
50
Figure 17. Maximum Rated Reverse Bias
Safe Operating Area
9.0
6.0
7.0
8.0
3.0
4.0
5.0
1.0
2.0
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
0
40
120
160
0.6
POWER
DERA
TING
FACT
OR
SECOND BREAKDOWN
DERATING
1.0
0.8
0.4
0.2
60
100
140
80
THERMAL
DERATING
20
Figure 18. Power Derating
0.1
SAFE OPERATING AREA INFORMATION
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE16002BG | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16004BV | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16002AF | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16004BD | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16002BD | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE16004 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MJE16106 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 400 VOLTS 100 AND 125 WATTS |
| MJE16204 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-220 |
| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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