參數(shù)資料
型號(hào)： MJE1320BD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 23/63頁(yè)
文件大小： 434K
代理商： MJE1320BD
MJE1320
3–622
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
BE
,BASE–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.05
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.2
0.5
3
5
2
100
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 5 V
TC = 100°C
20
0.3
1
25
°C
3
0.1
0.7
2
5
Figure 1. DC Current Gain
70
50
30
10
7
1
2.5 A
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (AMP)
1.2
0.4
0
0.1
2
0.8
TJ = 25°C
1.6
IC = 1 A
2 A
10
5
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.3
0.9
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.6
1.2
0.4
0
0.3
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Voltage
0.25 0.3
0.4
2.5
1
1.5
0.5
Figure 4. Base–Emitter Saturation Voltage
IC/IB = 2
1.1
0.7
0.5
TJ = 100°C
0.8
2
Figure 5. Collector Cutoff Region
10K
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0.1
0
– 0.4
Figure 6. Capacitance Variation
10K
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Cib
0.2
,COLLECT
OR
CURRENT
(
A
)
I C
1K
100
10
1
– 0.2
+ 0.2
+ 0.4
+ 0.6
75
°C
REVERSE
FORWARD
25
°C
VCE = 250 V
5K
2K
1K
500
200
100
50
20
10
0.3 0.5
1
2
5
10
20
50 100
500
2K
300
3K
30
200
0.07
2.4
2.8
7
100
°C
0.25 0.3
0.4
2.5
1
1.5
0.5
0.7
2
30
3
1K
f = 1 MHz
TJ = 25°C
25
°C
TJ = 25°C
IC/IB = 2
TJ = 150°C
125
°C
100
°C
Cob
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
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PDF描述
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