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參數(shù)資料
| 型號： | MJE1320BC |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 34/63頁 |
| 文件大小： | 434K |
| 代理商： | MJE1320BC |
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MJE1320
3–623
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
trv
t
fi
,F
ALL
TIME
(
s)
Figure 7. Inductive Switching Measurements
TIME
VCE
90% IB1
tsv
IC pk
VCE(pk)
90% VCE(pk)
10% VCE(pk)
10%
IC pk
2% IC
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 8. Inductive Storage Time
10
7
5
2
0.5
0.7
VBE(off) = 1 V
TJ = 100°C
IC/IB1 = 2
1
3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.5
0.7
1
2
6
5
3
2
1
0.7
0.3
Figure 9. Inductive Crossover Time
5
0.5
6
Figure 10. Inductive Fall Time
6
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
3
2
1
0.7
0.3
0.5
3
0.5
0.7
1
2
6
0.3
5
3
0.5
0.7
1
2
6
0.3
5
3
2 V
,ST
ORAGE
TIME
(
t SV
s)
T
C
,CROSSOVER
TIME
(
s)
90% IC(pk)
IC
IB
tfi
tti
tc
3 V
VBE(off) = 3 V
2 V
1 V
VBE(off) = 3 V
2 V
1 V
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
Table 1. Resistive Load Switching
td and tr
ts and tf
Note: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.
VCC = 250 Vdc
RL = 250
IC = 1 Adc
IB = 0.5 Adc
*Tektronix AM503
*P6302 or Equivalent
VCC = 250 Vdc
IB1 = 0.5 Adc
RB1 = 22
RL = 250
IB2 = 0.5 Adc
RB2 = 10
IC = 1 Adc
For VBE(off) = 5 V
RB2 = 0
H.P. 214
OR EQUIV.
P.G.
50
RB = 22
*IB
*IC
T.U.T.
RL
VCC
Vin
0 V
≈ 11 V
tr ≤ 15 ns
0 V
≈ –35 V
H.P. 214
OR EQUIV.
P.G.
20
0.02
F
100
10
F
+
0.02
F
50
500
1
F
100
RB1
RB2
A
+ Vdc
≈ 11 Vdc
2N6191
2N5337
–V
+V
0 V
–5 V
A
50
*IB
*IC
RL
VCC
T.U.T.
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