參數資料
型號： MJE1320AU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數： 56/63頁
文件大小： 434K
代理商： MJE1320AU
MJE1320
3–625
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMPS)
20
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
0
40
120
160
0.6
POWER
DERA
TING
FACT
OR
SECOND BREAKDOWN
DERATING
1
0.8
0.4
0.2
Figure 11. Power Derating
60
100
10
1
Figure 12. Maximum Rated Forward Bias Safe
Operating Area
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
5
2
0.5
0.01
100
WIRE BOND LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMPS)
dc
0.05
10
5ms
900
1
0.2
0.1
0.02
TC = 25°C
10
s
5
0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0
600
1800
3
2
1
900
1200
1500
Figure 13. Maximum Rated Reverse Bias Safe
Operating Area
4
Figure 14. Thermal Response
t, TIME (ms)
1
0.01
0.1
r(t)
,TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
1
10
100
0.1
1K
Z
θJC(t) = r(t) RθJC
R
θJC = 1.56°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θJC
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.02
140
80
THERMAL
DERATING
TJ ≤ 100°C
VBE(off) = 2 V
IC/IB = 1
IC/IB = 2
GUARANTEED SAFE OPERATING AREA
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