參數(shù)資料
型號(hào)： MJD49T4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 143K
代理商： MJD49T4
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
8.33
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(on)
Base-Emitter On
Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 450 V
0.1
mA
I
CEO
V
CE
= 250 V
0.1
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 30 mA
350
V
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
1
V
I
C
= 1 A V
CE
= 10 V
1.5
V
I
C
= 0.3 A V
CE
= 10 V
I
C
= 1 A V
CE
= 10 V
30
10
150
f
T
Transition Frequency
I
C
= 0.2 A V
CE
= 10 V f=2MHz
10
MHz
h
fe
Small Signal Current
Gain
I
C
= 0.2 A V
CE
= 10 V f=1kHz
25
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe Operating Area
Derating Curves
MJD49T4
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE13002A GT 26C 26#16 SKT PLUG
MJE13005B GT 54C 54#16 SKT RECP
MJE13005F GT 25C 25#12 SKT RECP
MJE13007F TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE SWITCHING, HIGH SPEED DC-DC CONVERTER)
MK50395 Six Decade Counter / Display Decoder
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD50 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
MJD50-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
MJD50G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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