參數(shù)資料
型號(hào)： MJD253T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon Plastic Power Transistor
中文描述： 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： MJD253T4
MJD243 (NPN), MJD253 (PNP)
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. When surface mounted on minimum pad sizes recommended.
Peak
Base Current
Total Device Dissipation @ T
= 25
°
C
Derate above 25
C
I
1.0
0.1
8.0
Adc
W/
C
Derate above 25
°
C
T
, T
Total Device Dissipation @ T
A
= 25
°
C
65 to +150
P
D
0.011
°
C
1.4
W/
°
C
W
Operating and Storage Junction
Temperature Range
25
25
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
15
10
T
C
5
20
P
2.5
0
1.5
1
T
A
0.5
2
T
C
T
A
(SURFACE MOUNT)
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PDF描述
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參數(shù)描述
MJD253T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD29 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD2955 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD2955_02 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
MJD2955_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
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