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參數(shù)資料
| 型號： | MIG100Q6CMB1X |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝智能功率模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 166K |
| 代理商： | MIG100Q6CMB1X |
MIG100Q6CMB1X
2002-02-27
8
I
C
– V
CE
I
C
– V
CE
Switching time – I
C
Switching time – I
C
I
F
– V
F
trr, Irr – I
F
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Collector current I
C
(A)
Collector current I
C
(A)
Forward voltage V
F
(V)
Forward current I
F
(A)
C
C
C
C
S
S
P
R
F
F
200
0
0
5
2
50
150
1
3
4
VD 17 V
VD 13 V
VD 15 V
Common emitter
Tj 125°C
100
ton
toff
tc (on)
tc (off)
0
10
1
0.1
0.01
40
80
120
100
60
20
Tj 25°C
VCC 600 V
VD 15 V
L-LOAD
ton
toff
tc (on)
tc (off)
0
10
1
0.1
0.01
40
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Tj 125°C
VCC 600 V
VD 15 V
L-LOAD
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0
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1
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VD 17 V
VD 13 V
VD 15 V
Common emitter
Tj 25°C
100
200
0
0
5
2
50
150
1
3
4
100
Common cathode
: Tj 25°C
: Tj 125°C
0
100
30
10
5
3
1
50
40
120
20
80
60
100
Common cathode
: Tj 25°C
: Tj 125°C
Irr
trr
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIG10J503 | TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE |
| MIG150Q201H | TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT |
| MIG150Q6CMB1X | High Power Switching Applications Motor Control Applications |
| MIG200J201H | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MIG20J901H | INTEGRATED GTR MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MIG10J503 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE |
| MIG10Q805H | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MIG10Q806H | 制造商:Toshiba 功能描述:_ |
| MIG10Q906H | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MIG150J202H | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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