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參數(shù)資料
| 型號： | MGP15N35CL |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| 中文描述： | 15 A, 380 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 封裝： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | MGP15N35CL |
MGP15N35CL, MGB15N35CL, MGC15N35CL
http://onsemi.com
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Notes
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGC15N35CL | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGB15N35CLT4 | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGP15N38CL | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGP15N40CL | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGC15N40CL | Internally Clamped N-Channel IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGP15N35CL_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK |
| MGP15N38CL | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGP15N40CL | 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| MGP15N40CL_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK |
| MGP15N40CLG | 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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