參數(shù)資料
型號(hào)： MDI100-12A3
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT Modules
中文描述： 135 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： MDI100-12A3
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
50
100
150
0
10
20
30
40
0
40
80
120
160
0
50
100
150
0
5
10
15
20
0
200
400
600
800
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
8
16
24
32
40
48
56
0
5
10
15
20
25
mJ
0
400
800
1200
1600
2000
ns
0
8
16
24
32
40
48
56
0
5
10
15
20
25
mJ
0
40
80
120
160
200
ns
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 15
W
T
J
= 125
°
C
100-12
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
J
= 125
°
C
0
200
400
600
800
1000 1200
V
CE
0
40
80
120
160
200
R
G
= 15
W
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 15
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
I
C
A
mJ
E
off
mJ
E
on
ns
t
ns
t
R
G
W
R
G
W
t
s
E
on
E
off
t
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
A
MII 100-12 A3
MID 100-12 A3
MDI 100-12 A3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MDI150-12A4 IGBT Modules Short Circuit SOA Capability Square RBSOA
MDI300-12A4 IGBT Modules
MDL2416C 15 RED, 4-DIGIT, 16 SEGMENT PLUS DECIMAL HI-REL/MILITARY ALPHANUMERIC INTELLIGENT DISPLAY WITH MEMORY/DECODER/DRIVER
MDLM111-X VOLTAGE COMPARATOR
MDLM117-H POSITIVE THREE TERMINAL ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR
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參數(shù)描述
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MDI200-12A4 功能描述:IGBT 模塊 200 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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