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參數(shù)資料
| 型號： | MDD250-08N1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | High Power Diode Modules |
| 中文描述： | 290 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | MDD250-08N1 |
2000 IXYS All rights reserved
3 - 3
Fig. 5 Three phase rectifier bridge:
Power dissipation versus direct
output current and ambient
temperature
MDD 250
Fig. 6 Transient thermal impedance
junction to case (per diode)
Fig. 7 Transient thermal impedance
junction to
heatsink
(per diode)
R
thJK
for various conduction angles d:
d
R
thJK
(K/W)
DC
0.169
180
0.171
120
0.172
60
0.172
30
0.173
Constants for Z
thJK
calculation:
i
R
thi
(K/W)
1
0.0035
2
0.0165
3
0.1091
4
0.04
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
1.36
R
thJC
for various conduction angles d:
d
R
thJC
(K/W)
DC
0.129
180
0.131
120
0.132
60
0.132
30
0.133
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
1
0.0035
2
0.0165
3
0.1091
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.00
0.05
0.10
0.15
t
s
Z
thJK
K/W
t
s
Z
thJC
K/W
30°
DC
0
0
30°
DC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MDD250 | High Power Diode Modules |
| MDD250-12N1 | High Power Diode Modules |
| MDD250-14N1 | High Power Diode Modules |
| MDD250-16N1 | High Power Diode Modules |
| MDD310 | Diode/Diode Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MDD250-12N1 | 功能描述:分立半導體模塊 250 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MDD250-14N1 | 功能描述:分立半導體模塊 250 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MDD250-16N1 | 功能描述:分立半導體模塊 250 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MDD25-08N1B | 制造商:n/a 功能描述:Diode Module |
| MDD25-12N1B | 制造商:n/a 功能描述:Diode Module |
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