參數(shù)資料
型號(hào)： MCS12KG256MPVE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 608/654頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 256K FLASH 25MHZ 112-LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 60
系列： HCS12
核心處理器： HCS12
芯體尺寸： 16-位
速度： 25MHz
連通性： CAN，EBI/EMI，I²C，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 91
程序存儲(chǔ)器容量： 256KB（256K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 4K x 8
RAM 容量： 12K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.35 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 112-LQFP
包裝： 托盤
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S12KT256 Data Sheet, Rev. 1.16
646
Freescale Semiconductor
Table A-24. Expanded Bus Timing Characteristics
Conditions are shown in Table A-4 unless otherwise noted, CLOAD = 50pF
Num
C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P
Frequency of operation (E-clock)
fo
0
—
25.0
MHz
2
P
Cycle time
tcyc
40
—
ns
3
D
Pulse width, E low
PWEL
17
—
ns
4
D
Pulse width, E high1
1 Affected by clock stretch: add N x t
cyc where N=0,1,2 or 3, depending on the number of clock stretches.
PWEH
17
—
ns
5
D
Address delay time
tAD
——
8
ns
6
D
Address valid time to E rise (PWEL–tAD)tAV
11
—
ns
7
D
Muxed address hold time
tMAH
2—
—
ns
8
D
Address hold to data valid
tAHDS
7—
—
ns
9
D
Data hold to address
tDHA
2—
—
ns
10
D
Read data setup time
tDSR
13
—
ns
11
D
Read data hold time
tDHR
0—
—
ns
12
D
Write data delay time
tDDW
——
7
ns
13
D
Write data hold time
tDHW
2—
—
ns
14
D
Write data setup time1 (PWEH–tDDW)tDSW
10
—
ns
15
D
Address access time1 (tcyc–tAD–tDSR)tACCA
19
—
ns
16
D
E high access time1 (PWEH–tDSR)tACCE
4—
—
ns
17
D
Non-multiplexed address delay time
tNAD
——
7
ns
18
D
Non-muxed address valid to E rise (PWEL–tNAD)tNAV
10
—
ns
19
D
Non-multiplexed address hold time
tNAH
2—
—
ns
20
D
Chip select delay time
tCSD
—
16
ns
21
D
Chip select access time1 (tcyc–tCSD–tDSR)tACCS
11
—
ns
22
D
Chip select hold time
tCSH
2—
—
ns
23
D
Chip select negated time
tCSN
8—
—
ns
24
D
Read/write delay time
tRWD
——
7
ns
25
D
Read/write valid time to E rise (PWEL–tRWD)tRWV
10
—
ns
26
D
Read/write hold time
tRWH
2—
—
ns
27
D
Low strobe delay time
tLSD
——
7
ns
28
D
Low strobe valid time to E rise (PWEL–tLSD)tLSV
10
—
ns
29
D
Low strobe hold time
tLSH
2—
—
ns
30
D
NOACC strobe delay time
tNOD
——
7
ns
31
D
NOACC valid time to E rise (PWEL–tLSD)tNOV
10
—
ns
32
D
NOACC hold time
tNOH
2—
—
ns
33
D
PIPO0 delay time
tP0D
2—7
ns
34
D
PIPO0 valid time to E rise (PWEL–tP0D)tP0V
10
—
ns
35
D
PIPO1 delay time1 (PWEH-tP1V)tP1D
2—7
ns
36
D
PIPO1 valid time to E fall
tP1V
10
—
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VE-B1P-CU-F1 CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 200W
VI-B1P-CU-F4 CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 200W
VI-B1P-CU-F3 CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 200W
MCS12KG256MFUE IC MCU 256K FLASH 25MHZ 80-QFP
MCS12KG256CPVE IC MCU 256K FLASH 25MHZ 112-LQFP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCS12KG256VFUE 功能描述:IC MCU 256K FLASH 25MHZ 80-QFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
MCS12KG256VPVE 功能描述:IC MCU 256K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
MCS16-10B 制造商:Pelco 功能描述:MSTR CAM PWR SUP 10AMP 16OUT/B
MCS16-20 制造商:Pelco 功能描述:MSTR CAM PWR SUP 20AMP 16OUT/F
MCS1632R005FER 功能描述:電流傳感電阻器 - SMD 1W 0.005 ohm 1% RoHS:否 制造商:Vishay/Dale 電阻:10 mOhms 功率額定值:1 W 容差:1 % 外殼代碼 - in:2512 外殼代碼 - mm:6432 溫度系數(shù):75 PPM / C 系列:WSL 工作溫度范圍:- 65 C to + 170 C 產(chǎn)品:Power Metal Strip Resistors Low Value
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