參數(shù)資料
型號: MCP1252(中文)
廠商: Microchip Technology Inc.
英文描述: Low Noise, Positive-Regulated Charge Pump(低噪聲、正向調(diào)節(jié)電荷泵)
中文描述: 低噪聲,正調(diào)節(jié)電荷泵(低噪聲,正向調(diào)節(jié)電荷泵)
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代理商: MCP1252(中文)
2002 Microchip Technology Inc.
DS21752A-CNAFY04
11
MCP1252/3
5.1
電容的選擇
MCP1252
MCP1253
系列器件外配電容的種類和數(shù)值
是影響輸出電壓紋波和電荷泵容量等重要參數(shù)的決定因
素。為了減小輸出電壓的噪聲和紋波,在選擇
C
IN
C
OUT
時,建議采用低
ESR
0.1
)電容。選用的電容
種類應(yīng)為陶瓷電容或鉭電容,容值應(yīng)大于等于
10 μF
。
由于鋁電容
ESR
較高,因此我們不建議用戶采用。
如果輸入到
V
IN
的源阻抗非常低,而頻率高達(dá)幾兆赫茲,
可不需要
C
IN
。也可采用容量較小的電容代替建議的
10 μF
電容,但這樣做會降低輸入端(
V
IN
)電壓紋波的抑
制效果。
C
OUT
的值決定了
V
OUT
上的輸出電壓紋波幅
值。提高
C
OUT
的值可以減小輸出電壓紋波的幅值,但
其代價是關(guān)斷后接通時間延長,以及沖擊電流升高。
電荷泵電容器 (
C
FLY
) 決定了電荷泵的容量。為了達(dá)到
最大額定輸出電流(
120 mA
),電荷泵電容器的容值至
少須達(dá)到
1 μF
。電荷泵電容器越小,每一時鐘周期內(nèi)傳
遞的電荷量越少,因此輸出電壓紋波也越小。減小輸出
電壓紋波是以犧牲最大輸出電流和最高效率為代價的。
5.2
輸出電壓設(shè)定
MCP1252-33X50
MCP1253-33X50
反饋控制器可在
內(nèi)部設(shè)定的穩(wěn)壓后輸出電壓 (
3.3V
5.0V
) 之間作出選
擇。將
SELECT
連接到
GND
,可選擇
5.0V
穩(wěn)壓后輸出
電壓。將
SELECT
連接到
V
IN
,可選擇
3.3V
穩(wěn)壓后輸
出電壓。
MCP1252-ADJ
MCP1253-ADJ
利用外接電阻分壓器
來實現(xiàn)輸出電壓在
1.5V
5.5V
之間的調(diào)節(jié)。要得到可
調(diào)輸出電壓,需在
V
OUT
引腳和
FB
引腳之間連接一個
電阻 (
R1
),在
FB
引腳和
GND
引腳之間連接另一電阻
R2
)。在以下方程式中,
R
2
選小于等于
30 k
,計算
R
1
值:
方程式
方程式
需要注意的是,外部電阻的容許誤差會影響輸出電壓精
度。為了達(dá)到最佳效果,建議外部電阻的容許誤差不高
1
%。
5.3
建議采用的電路板布局
由于
MCP1252
MCP1253
系列器件以很高的開關(guān)頻
率進(jìn)行電荷轉(zhuǎn)移,可產(chǎn)生高速、幅值很高的瞬時尖峰電
流。因此,元件布局造成的雜散電感會在系統(tǒng)中產(chǎn)生噪
聲干擾。為了保證最佳性能,需要采用正確的電路板布
局技術(shù)。圖
5-3
給出了建議采用的器件電路板布局方
案。圖中
V
IN
引腳和
GND
引腳之間的輸入電容,以及
V
OUT
引腳和
GND
引腳之間的輸出電容均采用
10 μF
X7R
電介質(zhì)、
1206
封裝形式的陶瓷電容。
C+
C-
之間
的電荷泵電容器采用
1 μF
X7R
電介質(zhì)、
0805
封裝形
式的陶瓷電容。布局圖比例為
3:1
。
圖 5-3: 建議采用的印刷電路板布局
R1
R2
VOUTVFB
(
)
1
[
]
=
VOUT
VFB1
R1R2
+
)
=
其中:
V
OUT
1.5V
5.5V
范圍內(nèi)的期望輸出電壓
V
FB
是內(nèi)部調(diào)整電壓,標(biāo)稱值為
1.21V
PGOOD
V
OUT
GND
V
IN
C+
C-
SHDN
SELECT
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PDF描述
MCP1253(中文) Low Noise, Positive-Regulated Charge Pump(低噪聲、正向調(diào)節(jié)電荷泵)
MCP1256 Regulated 3.3V, Low-Ripple Charge Pump with Low- Operating Current SLEEP Mode or BYPASS Mode
MCP1256-EMF Regulated 3.3V, Low-Ripple Charge Pump with Low- Operating Current SLEEP Mode or BYPASS Mode
MCP1256-EUN Regulated 3.3V, Low-Ripple Charge Pump with Low- Operating Current SLEEP Mode or BYPASS Mode
MCP1256T-EMF Regulated 3.3V, Low-Ripple Charge Pump with Low- Operating Current SLEEP Mode or BYPASS Mode
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參數(shù)描述
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MCP1252DM-BKLT 功能描述:電源管理IC開發(fā)工具 MCP1252 Charge Pump Backlight Demo Brd RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 產(chǎn)品:Evaluation Kits 類型:Battery Management 工具用于評估:MAX17710GB 輸入電壓: 輸出電壓:1.8 V