參數(shù)資料
型號(hào)： MCL103A-TR
廠商： VISHAY TELEFUNKEN
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述： SIGNAL DIODE
封裝： GLASS, MICROMELF-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： MCL103A-TR
MCL103A–MCL103C
Vishay Telefunken
2 (4)
Rev. 2, 25-Jun-01
www.vishay.com
Document Number 85632
Electrical Characteristics
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown
MCL103A
V(BR)R
40
V
Reverse Breakdown
Voltage
IR=10mA
MCL103B
V(BR)R
30
V
Voltage
R
m
MCL103C
V(BR)R
20
V
VR= 30 V
MCL103A
IR
5
mA
Leakage current
VR= 20 V
MCL103B
IR
5
mA
g
VR= 10 V
MCL103C
IR
5
mA
Forward voltage drop
IF=20mA
VF
0.37
V
Forward voltage drop
IF=200mA
VF
0.6
V
Junction capacitance
VR= 0 V, f= 1MHz
CD
50
pF
Reverse recovery time
IF=IR=50 to 200mA,
recover to 0.1 IR
trr
10
ns
Characteristics (Tj = 25_C unless otherwise specified)
I
–
Forward
Current
(
mA)
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
100.000
1000.000
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
VF – Forward Voltage ( mV )
16765
F
1000
100
10
1
0.1
0.01
Figure 1. Forward Current vs. Forward Voltage
I
–
Forward
Current
(
A)
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VF – Forward Voltage ( V )
16766
F
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
1
10
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Tj – Junction Temperature ( °C )
16767
m
I
–
Reverse
Current
(
A
)
R
Figure 3. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
VR – Reverse Voltage ( V )
16768
C
–
Diode
Capacitance
(
pF
)
D
f=1MHz
Figure 4. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCL103C-GS08 SILICON, SIGNAL DIODE
MCL4154 0.2 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MCM6674P 7 X 5 CHARACTERS CRT CHAR DSPL CTLR, PDIP18
MD2412 24 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MD5024 1 TIMER(S), PROGRAMMABLE TIMER
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參數(shù)描述
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MCL103B-TR 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Schottky Rectifier
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