參數(shù)資料
型號： MCIMX31CVMN4C
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 51/108頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MPU MAP I.MX31 473-MAPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 84
系列： i.MX31
核心處理器： ARM11
芯體尺寸： 32-位
速度： 400MHz
連通性： 1 線，ATA，EBI/EMI，F(xiàn)IR，I²C，MMC/SD，PCMCIA，SIM，SPI，SSI，UART/USART，USB，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，LCD，POR，PWM，WDT
程序存儲器類型： ROMless
RAM 容量： 16K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.22 V ~ 3.3 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 473-LFBGA
包裝： 托盤
Electrical Characteristics
MCIMX31C/MCIMX31LC Technical Data, Rev. 4.3
Freescale Semiconductor
47
Figure 37. Mobile DDR SDRAM Write Cycle Timing Diagram
NOTE
SDRAM CLK and DQS related parameters are being measured from the
50% point—that is, high is defined as 50% of signal value and low is
defined as 50% of signal value.
NOTE
The timing parameters are similar to the ones used in SDRAM data
sheets—that is, Table 35 indicates SDRAM requirements. All output signals
are driven by the ESDCTL at the negative edge of SDCLK and the
parameters are measured at maximum memory frequency.
Table 35. Mobile DDR SDRAM Write Cycle Timing Parameters1
1 Test condition: Measured using delay line 5 programmed as follows: ESDCDLY5[15:0] = 0x0703.
ID
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
SD17
DQ & DQM setup time to DQS
tDS
0.95
—
ns
SD18
DQ & DQM hold time to DQS
tDH
0.95
—
ns
SD19
Write cycle DQS falling edge to SDCLK output delay time.
tDSS
1.8
—
ns
SD20
Write cycle DQS falling edge to SDCLK output hold time.
tDSH
1.8
—
ns
SDCLK
DQS (output)
DQ (output)
DQM (output)
Data
DM
SD17
SD18
SD19
SD20
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PDF描述
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參數(shù)描述
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