參數(shù)資料
型號(hào): MCH3312
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: Ultrahigh-Speed Switching Applications
中文描述: 超高速開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 28K
代理商: MCH3312
MCH3312
No.7009-3/4
0
1
2
3
4
6
5
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --2A
IT03231
0
0
20
40
Ambient Temperature, Ta --
°
C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
60
80
100
120
140
160
PD -- Ta
IT03233
A S O
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
--1.0
--0.1
--0.01
--0.1
2 3
5 7--1.0
--0.01 2 3
5 7
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
2 3
5 7
7
--10
2 3
5
--100
IT03232
IDP= --8A
ID= --2A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
μ
s
DCoeain
1m
1m
<10
μ
s
--0.1
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
5
3
2
2
10
100
7
5
3
2
1.0
SW Time -- ID
VDD=
--
15V
VGS=
--10
V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT03229
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT03227
--0.01
--0.1
Drain Current, ID -- A
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
--10
10
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
y
fs
-- ID
VDS= --10V
75
°
C
25
°
C
Ta=-25
°
C
IT03228
--0.2
--0.3
--0.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
--0.01
--0.1
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
IF -- VSD
VGS=0
-
°
C
2
°
C
T7
°
C
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
10
100
3
2
7
5
3
2
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
IT03230
Total Gate Charge, Qg -- nC
G
A
D
Drain Current, ID -- A
S
F
y
f
F
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
C
Ta=25
°
C
Single pulse
Mounted on a ceramic board(900mm
2
0.8mm)
Mounedonaceamcboad900mm
2
08mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCH3314 MCH3314
MCH3317 MCH3317
MCH3318 P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR
MCH3339 MCH3339
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參數(shù)描述
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MCH3315 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
MCH3316 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
MCH3316-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Pch -60V -1.2A 530m@10V MCPH3 Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 60V 1.2A MCPH3