參數(shù)資料
型號(hào)： MC9S12KG256CPVE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 594/654頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 256K FLASH 25MHZ 112-LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 60
系列： HCS12
核心處理器： HCS12
芯體尺寸： 16-位
速度： 25MHz
連通性： CAN，EBI/EMI，I²C，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 91
程序存儲(chǔ)器容量： 256KB（256K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大小： 4K x 8
RAM 容量： 12K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.35 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 112-LQFP
包裝： 托盤
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S12KT256 Data Sheet, Rev. 1.16
Freescale Semiconductor
633
A.6.1.3
Sector Erase
Erasing a 1024 byte Flash sector or a 4 byte EEPROM sector takes:
The setup time can be ignored for this operation.
A.6.1.4
Mass Erase
Erasing a NVM block takes:
The setup time can be ignored for this operation.
A.6.1.5
Blank Check
The time it takes to perform a blank check on the Flash or EEPROM is dependant on the location of the
rst non-blank word starting at relative address zero. It takes one bus cycle per word to verify plus a setup
of the command.
Table A-16. NVM Timing Characteristics
Conditions are shown in Table A-4 unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
D External Oscillator Clock
fNVMOSC
0.5
—
50 1
1 Restrictions for oscillator in crystal mode apply!
MHz
2
D Bus frequency for Programming or Erase Operations
fNVMBUS
1
—
MHz
3
D Operating Frequency
fNVMOP
150
—
200
kHz
4
P Single Word Programming Time
tswpgm
46 2
2 Minimum Programming times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP and maximum bus frequency
fbus.
—
74.5 3
3 Maximum Erase and Programming times are achieved under particular combinations of f
NVMOP and bus frequency fbus. Refer
s
5
D Flash Burst Programming consecutive word 4
4 Burst Programming operations are not applicable to EEPROM
tbwpgm
20.4 2
—31 3
s
6
D Flash Burst Programming Time for 64 Words 4
tbrpgm
1331.2 2
—
2027.5 3
s
7
P Sector Erase Time
tera
20 5
5 Minimum Erase times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP.
—
26.7 3
ms
8
P Mass Erase Time
tmass
100 5
—
133 3
ms
9
D Blank Check Time Flash per block
tcheck
11 6
6 Minimum time, if rst word in the array is not blank
—
65546 7
7 Maximum time to complete check on an erased block
tcyc
10
D Blank Check Time EEPROM per block
tcheck
11 6
—
20587
tcyc
t
era
4000
1
f
NVMOP
-------------------------
≈
t
mass
20000
1
f
NVMOP
-------------------------
≈
t
check
location t
cyc
10 t
cyc
+
≈
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VJ2225Y274JBEAT4X CAP CER 0.27UF 500V 5% X7R 2225
MC9S12KG256CFUE IC MCU 256K FLASH 25MHZ 80-QFP
MC9S12GC128MPBE IC MCU 128K FLASH 25MHZ 52-LQFP
MC9S12GC128CPBER IC MCU 128K FLASH 25MHZ 52-LQFP
VJ2225Y563JBGAT4X CAP CER 0.056UF 1KV 5% X7R 2225
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC9S12KG256MFUE 功能描述:16位微控制器 - MCU 256K FLASH HCS12 MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12KG256MPVE 功能描述:16位微控制器 - MCU 256K FLASH HCS12 MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12KG256VFUE 功能描述:16位微控制器 - MCU 256K FLASH HCS12 MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12KG256VPVE 功能描述:16位微控制器 - MCU 256K FLASH HCS12 MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12KT256CPVE 功能描述:IC MCU 256K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
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