參數(shù)資料
型號(hào)： MC9S12E32MFC
廠(chǎng)商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 微控制器/微處理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, QCC64
封裝： QFN-64
文件頁(yè)數(shù)： 519/606頁(yè)
文件大?。?/td> 3146K
代理商： MC9S12E32MFC
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S12E128 Data Sheet, Rev. 1.07
566
Freescale Semiconductor
A.1.6
ESD Protection and Latch-up Immunity
All ESD testing is in conformity with CDF-AEC-Q100 Stress test qualication for Automotive Grade
Integrated Circuits. During the device qualication ESD stresses were performed for the Human Body
Model (HBM), the Machine Model (MM) and the Charge Device Model.
A device will be dened as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets the device
specication. Complete DC parametric and functional testing is performed per the applicable device
specication at room temperature followed by hot temperature, unless specied otherwise in the device
specication.
Table A-2. ESD and Latch-up Test Conditions
Model
Description
Symbol
Value
Unit
Human Body
Series Resistance
R1
1500
Ohm
Storage Capacitance
C
100
pF
Number of Pulse per pin
positive
negative
—
–
3
Machine
Series Resistance
R1
0
Ohm
Storage Capacitance
C
200
pF
Number of Pulse per pin
positive
negative
—
3
Latch-up
Minimum input voltage limit
—
–2.5
V
Maximum input voltage limit
—
7.5
V
Table A-3. ESD and Latch-Up Protection Characteristics
Num
C
Rating
Symbol
Min
Max
Unit
1
C
Human Body Model (HBM)
VHBM
2000
—
V
2
C
Machine Model (MM)
VMM
200
—
V
3
C
Charge Device Model (CDM)
VCDM
500
—
V
4
C
Latch-up Current at 125
°C
positive
negative
ILAT
+100
-100
—
mA
5
C
Latch-up Current at 27
°C
positive
negative
ILAT
+200
-200
—
mA
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