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參數(shù)資料
| 型號： | MC9S12E256CPV |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | MC9S12E-Family Device User Guide V01.04 |
| 中文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| 封裝： | LQFP-112 |
| 文件頁數(shù)： | 149/156頁 |
| 文件大?。?/td> | 3077K |
| 代理商： | MC9S12E256CPV |
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149
Table C-1 Expanded Bus Timing Characteristics (5V Range)
Conditions are 4.75V < VDDX < 5.25V, Junction Temperature -40°C to +140°C, C
LOAD
= 50pF
Num
C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P
Frequency of operation (E-clock)
f
o
0
25.0
MHz
2
P
Cycle time
t
cyc
40
ns
3
D
Pulse width, E low
PW
EL
19
ns
4
D
Pulse width, E high
1
PW
EH
19
ns
5
D
Address delay time
t
AD
8
ns
6
D
Address valid time to E rise (PW
EL
–t
AD
)
t
AV
11
ns
7
D
Muxed address hold time
t
MAH
2
ns
8
D
Address hold to data valid
t
AHDS
7
ns
9
D
Data hold to address
t
DHA
2
ns
10
D
Read data setup time
t
DSR
13
ns
11
D
Read data hold time
t
DHR
0
ns
12
D
Write data delay time
t
DDW
7
ns
13
D
Write data hold time
t
DHW
2
ns
14
D
Write data setup time
(1)
(PW
EH
–t
DDW
)
t
DSW
12
ns
15
D
Address access time
(1)
(t
cyc
–t
AD
–t
DSR
)
t
ACCA
19
ns
16
D
E high access time
(1)
(PW
EH
–t
DSR
)
t
ACCE
6
ns
17
D
Non-multiplexed address delay time
t
NAD
6
ns
18
D
Non-muxed address valid to E rise (PW
EL
–t
NAD
)
t
NAV
14
ns
19
D
Non-multiplexed address hold time
t
NAH
2
ns
20
D
Chip select delay time
t
CSD
16
ns
21
D
Chip select access time
(1)
(t
cyc
–t
CSD
–t
DSR
)
t
ACCS
11
ns
22
D
Chip select hold time
t
CSH
2
ns
23
D
Chip select negated time
t
CSN
8
ns
24
D
Read/write delay time
t
RWD
7
ns
25
D
Read/write valid time to E rise (PW
EL
–t
RWD
)
t
RWV
14
ns
26
D
Read/write hold time
t
RWH
2
ns
27
D
Low strobe delay time
t
LSD
7
ns
28
D
Low strobe valid time to E rise (PW
EL
–t
LSD
)
t
LSV
14
ns
29
D
Low strobe hold time
t
LSH
2
ns
30
D
NOACC strobe delay time
t
NOD
7
ns
31
D
NOACC valid time to E rise (PW
EL
–t
NOD
)
t
NOV
14
ns
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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