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參數(shù)資料
| 型號： | MC9S12DT128B |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | Device User Guide V01.09 |
| 中文描述： | 設(shè)備的用戶手冊V01.09 |
| 文件頁數(shù)： | 94/128頁 |
| 文件大?。?/td> | 729K |
| 代理商： | MC9S12DT128B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁當(dāng)前第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁
MC9S12DT128B Device User Guide — V01.09
Table A-6 5V I/O Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P Input High Voltage
V
IH
0.65*V
DD5
–
V
T Input High Voltage
V
IH
–
–
V
DD5
+ 0.3
2
P Input Low Voltage
V
IL
–
–
0.35*V
DD5
V
T Input Low Voltage
V
IL
V
SS5
– 0.3
–
–
V
3
C Input Hysteresis
V
HYS
250
mV
4
P
Input Leakage Current (pins in high ohmic input
mode)
1
V
in
= V
DD5
or V
SS5
ADC Inputs AN15:0
All other Ports (A, B, E, K, M, S, T)
NOTES
:
1. Maximum leakage current occurs at maximum operating temperature. Current decreases by approximately one-half for
each 8 C to 12 C in the temperature range from 50 C to 125 C.
2. Refer to
Section A.1.4 Current Injection
, for more details
3. Parameter only applies in STOP or Pseudo STOP mode.
I
in
-1.0
–2.5
–
1.0
2.5
μ
A
5
C
P
Output High Voltage (pins in output mode)
Partial Drive IOH= –2.0mA
Full Drive IOH= –10.0mA
V
OH
V
DD5
– 0.8
–
–
V
6
C
P
Output Low Voltage (pins in output mode)
Partial Drive IOL= +2.0mA
Full Drive IOL= +10.0mA
V
OL
–
–
0.8
V
7
P
Internal Pull Up Device Current,
tested at V
IL
Max.
I
PUL
–
–
–130
μ
A
8
C
Internal Pull Up Device Current,
tested at V
IH
Min.
I
PUH
–10
–
–
μ
A
9
P
Internal Pull Down Device Current,
tested at V
IH
Min.
I
PDH
–
–
130
μ
A
10
C
Internal Pull Down Device Current,
tested at V
IL
Max.
I
PDL
10
–
–
μ
A
11
D Input Capacitance
C
in
6
–
pF
12
T
Injection current
2
Single Pin limit
Total Device Limit. Sum of all injected currents
I
ICS
I
ICP
–2.5
–25
–
2.5
25
mA
13
P Port H, J, P Interrupt Input Pulse filtered
3
t
PULSE
3
μ
s
14
P Port H, J, P Interrupt Input Pulse passed
3
t
PULSE
10
μ
s
F
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n
.
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