參數資料
型號： MC9S12DB128B
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： Device User Guide V01.09
中文描述： 設備的用戶手冊V01.09
文件頁數： 96/128頁
文件大?。?/td> 729K
代理商： MC9S12DB128B
MC9S12DT128B Device User Guide — V01.09
given. A very good estimate is to take the single chip currents and add the currents due to the external
loads.
Table A-7 Supply Current Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P
Run supply currents
Single Chip, Internal regulator enabled
I
DD5
55
mA
2
P
P
Wait Supply current
All modules enabled, PLL on
only RTI enabled
1
I
DDW
30
5
mA
3
C
P
C
C
P
C
P
C
P
Pseudo Stop Current (RTI and COP disabled)
1, 2
-40
°
C
27
°
C
70
°
C
85
°
C
"C" Temp Option 100
°
C
105
°
C
"V" Temp Option 120
°
C
125
°
C
“M” Temp Option 140
°
C
NOTES
:
1. PLL off, Oscillator in Colpitts Mode
2. At those low power dissipation levels T
J
= T
A
can be assumed
I
DDPS
370
400
450
550
600
650
800
850
1200
500
1600
2100
5000
μ
A
4
C
C
C
C
C
C
C
Pseudo Stop Current (RTI and COP enabled)
1, 2
-40
°
C
27
°
C
70
°
C
85
°
C
105
°
C
125
°
C
140
°
C
I
DDPS
570
600
650
750
850
1200
1500
μ
A
5
C
P
C
C
P
C
P
C
P
Stop Current
2
-40
°
C
27
°
C
70
°
C
85
°
C
"C" Temp Option 100
°
C
105
°
C
"V" Temp Option 120
°
C
125
°
C
“M” Temp Option 140
°
C
I
DDS
12
25
100
130
160
200
350
400
600
100
1200
1700
5000
μ
A
F
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n
.
相關PDF資料
PDF描述
MC9S12DG256B device made up of standard HCS12 blocks and the HCS12 processor core
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