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參數(shù)資料
| 型號： | MC8641VU1000NC |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 19/130頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MPU SGL E600 CORE 994FCCBGA |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | MPC86xx |
| 處理器類型： | 32-位 MPC86xx PowerPC |
| 速度： | 1.0GHz |
| 電壓： | 0.95V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 994-BCBGA，F(xiàn)CCBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 994-FCCBGA（33x33） |
| 包裝： | 托盤 |
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MPC8641 and MPC8641D Integrated Host Processor Hardware Specifications, Rev. 2
Freescale Semiconductor
115
Thermal
Figure 62. Recommended Thermal Model of MPC8641
19.2.4
Temperature Diode
The MPC8641 has a temperature diode on the microprocessor that can be used in conjunction with other
system temperature monitoring devices (such as Analog Devices, ADT7461). These devices use the
negative temperature coefficient of a diode operated at a constant current to determine the temperature of
the microprocessor and its environment. For proper operation, the monitoring device used should
auto-calibrate the device by canceling out the VBE variation of each MPC8641’s internal diode.
The following are the specifications of the MPC8641 on-board temperature diode:
Vf > 0.40 V
Vf < 0.90 V
Operating range 2–300
μA
Diode leakage < 10 nA @ 125
°C
Ideality factor over 5–150
μA at 60°C: n = 1.0275 ± 0.9%
Bump and Underfill
Die
Substrate
C5 solder layer
Die
Substrate
Side View of Model (Not to Scale)
Top View of Model (Not to Scale)
x
y
z
Conductivity
Value
Unit
Die (12.4x15.3x0.86 mm)
Silicon
Temperature
dependent
Bump and Underfill (12.4
× 15.3 × 0.07 mm)
Collapsed Resistance
kz
5.3
W/(m K)
Substrate (33
× 33 × 1.2 mm)
kx
13.5
W/(m K)
ky
13.5
kz
5.3
C5 Solder layer (33
× 33 × 0.4 mm)
kx
0.034
W/(m K)
ky
0.034
kz
9.6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MC8641VU1250HC | 功能描述:IC MPU SGL E600 CORE 994FCCBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微處理器 系列:MPC86xx 標準包裝:1 系列:MPC85xx 處理器類型:32-位 MPC85xx PowerQUICC III 特點:- 速度:1.2GHz 電壓:1.1V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:783-BBGA，F(xiàn)CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:783-FCPBGA（29x29） 包裝:托盤 |
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