參數(shù)資料
型號： MC74LVX08
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Quad 2-Input NAND Gate(四2輸入與非門)
中文描述： 四2輸入與非門（四2輸入與非門）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： MC74LVX08
MC74LVX08
http://onsemi.com
4
The specification applies to any outputs switching in the same direction, either HIGHtoLOW (t
OSHL
) or LOWtoHIGH (t
OSLH
); parameter
guaranteed by design.
Symbol
C
L
Parameter
Test Conditions
Min
L
C
Typ
Max
17.0
t
(Note 1)
t
PHL
V
= 3.3
±
0.3 V
Output
V
CC
= 3.3
±
0.3V
7.3
8.8
7.1
14.9
1.0
8.5
C
= 15 pF
L
4.8
OSHL
OutputtoOutput Skew
CC
1.5
1.5
2. C
PD
is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: I
CC(OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/4 (per gate). C
PD
is used to determine the
noload dynamic power consumption; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
CAPACITIVE CHARACTERISTICS
Symbol
T
A
= 25
°
C
T
A
= 40 to 85
°
C
Parameter
Min
4
Typ
Max
Min
Max
Unit
Cin
Input Capacitance
18
10
10
pF
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Note 2)
pF
NOISE CHARACTERISTICS
(Input t
r
= t
f
= 3.0 ns, C
L
= 50 pF, V
CC
= 3.3 V, Measured in SOIC Package)
T
A
= 25
°
C
Symbol
Characteristic
Typ
Max
Unit
V
OLP
Quiet Output Maximum Dynamic V
OL
0.3
0.5
V
V
OLV
Quiet Output Minimum Dynamic V
OL
0.3
0.5
V
V
IHD
Minimum High Level Dynamic Input Voltage
2.0
V
V
ILD
Maximum Low Level Dynamic Input Voltage
0.8
V
Figure 3. Switching Waveforms
V
CC
GND
50%
50% V
CC
A or B
O
t
PHL
t
PLH
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 4. Test Circuit
C
L
*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
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