ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
參數(shù)資料
型號(hào)： MC1413BD
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC TRANS ARRAY DARL HV 16SOIC
產(chǎn)品變化通告： Product Obsolescence 14/Apr/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 48
類型： 達(dá)林頓晶體管矩陣
驅(qū)動(dòng)器/接收器數(shù)： 7/0
電源電壓： 5V
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-SOIC
包裝： 管件
其它名稱： MC1413BDOS
MC1413, MC1413B, NCV1413B
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Leakage Current
(VO = 50 V, TA = +85°C)
(VO = 50 V, TA = +25°C)
All Types
ICEX
100
50
mA
CollectorEmitter Saturation Voltage
(IC = 350 mA, IB = 500 mA)
(IC = 200 mA, IB = 350 mA)
(IC = 100 mA, IB = 250 mA)
All Types
VCE(sat)
1.1
0.95
0.85
1.6
1.3
1.1
V
Input Current On Condition
(VI = 3.85 V)
MC1413, B
II(on)
0.93
1.35
mA
Input Voltage On Condition
(VCE = 2.0 V, IC = 200 mA)
(VCE = 2.0 V, IC = 250 mA)
(VCE = 2.0 V, IC = 300 mA)
MC1413, B
VI(on)
2.4
2.7
3.0
V
Input Current Off Condition
(IC = 500 mA, TA = 85°C)
All Types
II(off)
50
100
mA
DC Current Gain
(VCE = 2.0 V, IC = 350 mA)
hFE
1000
Input Capacitance
CI
15
30
pF
TurnOn Delay Time
(50% EI to 50% EO)
ton
0.25
1.0
ms
TurnOff Delay Time
(50% EI to 50% EO)
toff
0.25
1.0
ms
Clamp Diode Leakage Current
(VR = 50 V)
TA = +25°C
TA = +85°C
IR
50
100
mA
Clamp Diode Forward Voltage
(IF = 350 mA)
VF
1.5
2.0
V
NOTE:
NCV1413B Tlow = 40°C, Thigh = +125°C. Guaranteed by design. NCV prefix is for automotive and other applications requiring
site and change control.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MC145018P IC SMOKE DETECT PHOTOELEC 16-DIP
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參數(shù)描述
MC1413BDG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MC1413BDG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor Array IC
MC1413BDR2 功能描述:達(dá)林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MC1413BDR2G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MC1413BDR2G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16
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