參數(shù)資料
型號： MBRF10200CT
元件分類： 整流器
英文描述： 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： MBRF10200CT
Number: DB-150
March 2010, Revision D
Page 2
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
TYPICAL CHARACTERISTICS
f = 1MHz
Ta = 25
℃
10.0
100.0
1000.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Reverse Voltage [V]
Ty
p
ic
a
lJ
u
nc
ti
o
n
C
a
pa
c
ita
nc
e
[p
F
]
MBRF10150CT
MBRF10200CT
MBRF10100CT
0
2
4
6
8
10
0
255075
100
125
150
Tc - Case Tem perature [
℃]
A
v
er
ag
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
en
t
[A
]
0.010
0.100
1.000
10.000
100.000
1000.000
10000.000
0
1020
3040506070
8090
100
VR - Reverse Voltage [V]
IR
-
Rev
ers
e
Cu
rre
tn
[
u
A
]
Ta=25
℃
Ta=75
℃
Ta=125
℃
Ta= 150
℃
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VF - Instantaneous Forward Voltage [V]
IF
-
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t[m
A
]
Ta=75
Ta=125℃
Ta=150
℃
Ta=25℃
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
100.000
1000.000
0
1020
3040
5060
708090
100
VR - Reverse Voltage [V]
IR
-
Re
v
e
rs
e
Cu
rr
e
n
t[
u
A]
)
Ta=25
℃
Ta=75
℃
Ta=125
℃
Ta= 150
℃
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
100.000
1000.000
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
VR - Reverse Voltage [V]
IR
-Re
v
e
rs
e
Cu
rr
e
n
t
[u
A]
)
Ta=25
℃
Ta=75
℃
Ta=125
℃
Ta= 150
℃
Figure 1. Forward Current Derating Curve (Per Diode)
Figure 2. Junction Capacitance (Per Diode)
Figure 3. MBRF10100CTTypical Reverse Current (Per Diode)
Figure 4. MBRF10150CTTypical Reverse Current (Per Diode)
Figure 5. MBRF10200CTTypical Reverse Current (Per Diode)
Figure 6. MBRF10100CT Typical Forward Voltage (Per Diode)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRF10100CT 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRF1030CT 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRF1045CT 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRF1040CT-G 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRF1060CT 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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參數(shù)描述
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