參數(shù)資料
型號： MBR890FCT
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： MBR890FCT
PAGE . 2
STAD-APR.30.2009
MBR840FCT~MBR8200FCT
PRELIMINAR
Y
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
Fig.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.4- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS
Fig.3- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
INST
ANT
ANEOUS
FOR
W
ARD
CURRENT
AMPERES
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
40
10
8
6
4
2
1.0
.8
.6
.4
.2
.1
.5
.6
.7
.8
.9
1.0
1.1
1.2
50V~60V
80V~100V
150V~200V
40V~45V
INST
ANT
ANEOUS
REVERSE
CURRENT
,m
A
PERCENT OF INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE,(%)
120
140
10
1.0
0.1
.01
.001
0
20406080
100
T =100 C
J
O
T=
J
75 C
O
T=
J
25 C
O
CASE TEMPERATURE, C
O
10.0
8.0
4.0
0
2.0
6.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
A
VERAGE
F
OR
W
A
RD
RECTIFIED
CURRENT
AMPERES
=40V
= 45-200V
Fig.2- MAXIMUM NON - REPETITIVE SURGE CURRENT
PEAK
FOR
W
ARD
SURGE
CURRENT
AMPERES
NO. OF CYCLE AT 60Hz
150
120
110
90
70
50
30
20
10
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms Single
Half Since-Wave
JEDEC Method
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR845DC 8 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBR8200DCT/R13 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBR890DC 8 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBR8100DC 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBR850DCT/R13 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBR890L 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:肖特基勢壘二極管Schottky Barrier Diodes，高結(jié)溫低漏電流肖特基勢壘二極管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。
MB-R8CS 制造商:Sunhayato 功能描述:
MB-R8C-SET 制造商:Sunhayato 功能描述:
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MBR90200WT 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:960mV @ 45A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 200V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
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