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參數(shù)資料
| 型號： | MBR3045WT |
| 廠商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | MBR3045WT |
Document Number: 95223
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www.vishay.com
Revision: 01-Dec-10
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
1
TO-247
Outline Dimensions
Vishay Semiconductors
DIMENSIONS in millimeters and inches
Notes
(1) Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994
(2) Contour of slot optional
(3) Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at
the outermost extremes of the plastic body
(4) Thermal pad contour optional with dimensions D1 and E1
(5) Lead finish uncontrolled in L1
(6) P to have a maximum draft angle of 1.5 to the top of the part with a maximum hole diameter of 3.91 mm (0.154")
(7) Outline conforms to JEDEC outline TO-247 with exception of dimension c
SYMBOL
MILLIMETERS
INCHES
NOTES
SYMBOL
MILLIMETERS
INCHES
NOTES
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
A
4.65
5.31
0.183
0.209
D2
0.51
1.30
0.020
0.051
A1
2.21
2.59
0.087
0.102
E
15.29
15.87
0.602
0.625
3
A2
1.50
2.49
0.059
0.098
E1
13.72
-
0.540
-
b
0.99
1.40
0.039
0.055
e
5.46 BSC
0.215 BSC
b1
0.99
1.35
0.039
0.053
FK
2.54
0.010
b2
1.65
2.39
0.065
0.094
L
14.20
16.10
0.559
0.634
b3
1.65
2.37
0.065
0.094
L1
3.71
4.29
0.146
0.169
b4
2.59
3.43
0.102
0.135
N
7.62 BSC
3
b5
2.59
3.38
0.102
0.133
FP
3.56
3.66
0.14
0.144
c
0.38
0.86
0.015
0.034
FP1
-
6.98
-
0.275
c1
0.38
0.76
0.015
0.030
Q
5.31
5.69
0.209
0.224
D
19.71
20.70
0.776
0.815
3
R
4.52
5.49
1.78
0.216
D1
13.08
-
0.515
-
4
S
5.51 BSC
0.217 BSC
0.10
A
C
MM
E
E/2
(2)
(3)
(4)
(2) R/2
B
2 x R
S
D
See view B
2 x e
b4
3 x b
2 x b2
L
C
(5) L1
1
2
3
D
A
A2
A
A1
C
K
B
D
MM
A
(6) P
(Datum B)
FP1
D1 (4)
4
E1
0.01
B
D
MM
View A - A
Thermal pad
D2
DD E
E
C
View B
(b1, b3, b5)
Base metal
c1
(b, b2, b4)
Section C - C, D - D, E - E
(c)
Planting
Lead assignments
Diodes
1. - Anode/open
2. - Cathode
3. - Anode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR3045WT | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBR3040WT | 15 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBR3045 | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR3080CT-BP | 30 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3 |
| MBR3030C | 30 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBR3045WTG | 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 45V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MBR3045WT-N3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 15 A |
| MBR3045WTPBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO247AC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| MBR3050 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:30 Ampere Schottky Barrier Rectifiers |
| MBR3050/3P | 制造商:ASEMI 制造商全稱:ASEMI 功能描述:Dual High-Voltage Schottky Rectifiers |
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