參數(shù)資料
型號(hào)： MBR2545CT
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Schottky Barrier Power Rectifier(25A,45V肖特基勢壘功率整流器)
中文描述： 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： MBR2545CT
MBR2535CT, MBR2545CT
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
MBR2535CT
MBR2545CT
V
RRM
V
RWM
V
R
35
45
V
Average Rectified Forward Current
(Rated V
R
, T
C
= 160
°
C)
I
F(AV)
30
A
Peak Repetitive Forward Current,
per Diode Leg (Rated V
R
, Square Wave, 20 kHz, T
C
= 150
°
C)
I
FRM
30
A
Non
Repetitive Peak Surge Current per Diode Leg
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
I
FSM
150
A
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0 s, 1.0 kHz)
I
RRM
1.0
A
Storage Temperature Range
T
stg
65 to +175
°
C
Operating Junction Temperature (Note 1)
T
J
65 to +175
°
C
Voltage Rate of Change (Rated V
R
)
dv/dt
10,000
V/ s
ESD Ratings: Machine Model = C
ESD Ratings:
Human Body Model = 3B
ESD
>400
>8000
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction
to
Ambient: dP
D
/dT
J
< 1/R
JA
.
THERMAL CHARACTERISTICS
(Per Leg)
Characteristic
Symbol
R
JC
R
JA
Value
1.5
50
Unit
°
C/W
Thermal Resistance,
Junction
to
Case
Junction
to
Ambient
(Note 2)
2. When mounted using minimum recommended pad size on FR
4 board.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Per Diode)
Symbol
Characteristic
Condition
Min
Typ
Max
Unit
V
F
Instantaneous Forward Voltage
(Note 3)
I
F
= 15 Amp, T
J
= 25
°
C
I
F
= 15 Amp, T
J
= 125
°
C
I
F
= 30 Amp, T
J
= 25
°
C
I
F
= 30 Amp, T
J
= 125
°
C
Rated dc Voltage, T
J
= 25
°
C
Rated dc Voltage, T
J
= 125
°
C
0.50
0.65
0.62
0.57
0.82
0.72
V
I
R
Instantaneous Reverse Current
(Note 3)
9.0
0.2
25
mA
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle
≤
2.0%.
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PDF描述
MBR2535CT Schottky Barrier Power Rectifier(25A,35V肖特基勢壘功率整流器)
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參數(shù)描述
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MBR2545CT/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 25 Amp 45 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR2545CT_Q 功能描述:肖特基二極管與整流器 25 amp Rectifiers Schottky Barrier RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR2545CT-1 功能描述:肖特基二極管與整流器 30 Amp 45 Volt Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR2545CT-1PBF 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
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