參數(shù)資料
型號： MBR160
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Axial Lead Schottky Barrier Power Rectifier(1A,60V軸向引腳肖特基勢壘功率整流器)
中文描述： 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 59-10, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 67K
代理商： MBR160
MBR150, MBR160
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25
°
C unless otherwise noted) (Note 1)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(i
F
= 0.1 A)
(i
F
= 1.0 A)
(i
F
= 3.0 A)
v
F
0.550
0.750
1.000
V
Maximum Instantaneous Reverse Current @ Rated dc Voltage (Note 2)
(T
L
= 25
°
C)
(T
L
= 100
°
C)
i
R
0.5
5.0
mA
Figure 1. Typical Forward Voltage
Figure 2. Typical Reverse Current*
Figure 3. Forward Power Dissipation
1.4
v
F
, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
40
70
0
0.1
0.05
0.001
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
1.0
0
4.0
2.0
0
2.0
iF
I
R
PF
0.1
0.6
0.2
0.4
0.8
1.0
50
60
10
20
30
10
3.0
4.0
5.0
0
1.6
5.0
3.0
1.0
,
0.2
0.5
1.0
0.02
0.01
0.005
0.002
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
I
PK
/I
AV
= 20
SQUARE
WAVE
dc
10
5
T
J
= 150
°
C
*The curves shown are typical for the highest voltage device in the volt-
age grouping. Typical reverse current for lower voltage selections can
be estimated from these same curves if V
R
is sufficiently below rated V
R
.
125
°
C
5.0
2.0
100
°
C
75
°
C
25
°
C
P
1.2
0.07
0.05
0.03
0.02
0.2
0.3
0.5
0.7
2.0
3.0
5.0
7.0
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