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參數(shù)資料
| 型號： | MB95F262KPF-G-SNE2 |
| 廠商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件頁數(shù)： | 43/87頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20SOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,400 |
| 系列： | 8FX MB95260H |
| 核心處理器： | F²MC-8FX |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 連通性： | LIN，SIO，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 16 |
| 程序存儲器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 240 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.4 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 6x8/10b |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 包裝： | 托盤 |
| 其它名稱： | 865-1209 |
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dsPIC30F2010
DS70118J-page 52
2011 Microchip Technology Inc.
7.3.2
WRITING A BLOCK OF DATA
EEPROM
To write a block of data EEPROM, write to all sixteen
latches first, then set the NVMCON register and
program the block.
EXAMPLE 7-5:
DATA EEPROM BLOCK WRITE
7.4
Write Verify
Depending on the application, good programming
practice may dictate that the value written to the mem-
ory should be verified against the original value. This
should be used in applications where excessive writes
can stress bits near the specification limit.
7.5
Protection Against Spurious Write
There are conditions when the device may not want to
write to the data EEPROM memory. To protect against
spurious EEPROM writes, various mechanisms have
been built-in. On power-up, the WREN bit is cleared;
also, the Power-up Timer prevents EEPROM write.
The write initiate sequence and the WREN bit together
help prevent an accidental write during brown-out,
power glitch or software malfunction.
MOV
#LOW_ADDR_WORD,W0
; Init pointer
MOV
#HIGH_ADDR_WORD,W1
MOV
W1,TBLPAG
MOV
#data1,W2
; Get 1st data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data2,W2
; Get 2nd data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data3,W2
; Get 3rd data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data4,W2
; Get 4th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data5,W2
; Get 5th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data6,W2
; Get 6th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data7,W2
; Get 7th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data8,W2
; Get 8th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data9,W2
; Get 9th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data10,W2
; Get 10th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data11,W2
; Get 11th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data12,W2
; Get 12th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data13,W2
; Get 13th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data14,W2
; Get 14th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data15,W2
; Get 15th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data
MOV
#data16,W2
; Get 16th data
TBLWTL
W2,[ W0]++
; write data. The NVMADR captures last table access address.
MOV
#0x400A,W0
; Select data EEPROM for multi word op
MOV
W0,NVMCON
; Operate Key to allow program operation
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7 for next 5 instructions
MOV
#0x55,W0
MOV
W0,NVMKEY
; Write the 0x55 key
MOV
#0xAA,W1
MOV
W1,NVMKEY
; Write the 0xAA key
BSET
NVMCON,#WR
; Start write cycle
NOP
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