參數(shù)資料
型號(hào)： MAX5933EESA+
廠商： Maxim Integrated
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大小： 269K
描述： IC HOT-SWAP CONTROLLER 8-SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 100
類型： 熱交換控制器
應(yīng)用： 通用
內(nèi)部開(kāi)關(guān)： 無(wú)
電源電壓： 33 V ~ 80 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOIC
包裝： 管件
GATE Voltage
A curve of Gate Drive vs. V
CC
is shown in Figure 13.
GATE is clamped to a maximum voltage of 18V above the
input voltage. At a minimum input-supply voltage of 33V,
the minimum gate drive voltage is 10V. When the input
supply voltage is higher than 20V, the gate-drive voltage
is at least 10V and a standard n-channel MOSFET can be
used. Using the MAX5947 in applications over a 9V to
20V range, a logic-level N-FET must be used with a prop-
er protection Zener diode between its gate and source
(see D1 in Figure 5).
Thermal Shutdown
If the MAX5933_/MAX5947_ die temperature reaches
+150癈, an overtemperature fault is generated. As a
result, GATE goes low and turns the external MOSFET off.
The MAX5933_/MAX5947_ die temperature must cool
down below +130癈 before the overtemperature fault
condition is removed.
R6
1k&
5%
C1
10nF
D2
CMPZ5248B
Q1
IRF530
R5
10&
5%
R
SENSE
0.025&
R3
59k&
1%
R4
3.57k&
1%
R7
24k&
5%
C
L
R2
3.4k&
1%
R1
49.9k&
1%
C2
0.68礔
MAX5933B
MAX5947B
PWRGD
GND
V
IN
TIMER
ON
PWRGD
FB
GND
V
CC
SENSE
GATE
5
1
3
2
4
8
7
6
D1
30V
1N5256B
SHORT
PIN
0.1礔
Positive High-Voltage, Hot-Swap Controllers
12   ______________________________________________________________________________________
OVERVOLTAGE WAVEFORMS
I
SENSE
5A/div
TIMER
10V/div
IN
50V/div
GATE
50V/div
10祍/div
OUTPUT
50V/div
Figure 11. Overvoltage Waveforms
Figure 10. Overvoltage Detection
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PDF描述
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