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參數(shù)資料
| 型號： | M68AW031AM55N1U |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 7/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 398K |
| 代理商： | M68AW031AM55N1U |
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
15/21
M68AW031A
Figure 14. Low VCC Data Retention AC Waveforms
Table 9. Low VCC Data Retention Characteristics
Note: 1. All other Inputs at VIH ≥ VCC –0.2V or VIL ≤ 0.2V.
2. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters. tAVAV is Read cycle time.
3. No input may exceed VCC +0.2V.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
ICCDR
(1)
Supply Current (Data Retention)
VCC = 1.5V, E ≥ VCC –0.2V, f = 0
(3)
6A
tCDR
(1,2)
Chip Deselected to Data
Retention Time
0ns
tR
(2)
Operation Recovery Time
tAVAV
ns
VDR
(1)
Supply Voltage (Data Retention)
E
≥ VCC –0.2V, f = 0
1.5
V
AI05905
DATA RETENTION MODE
tR
3.6V
tCDR
VCC
2.7V
VDR > 1.5V
E
≥ VDR – 0.2V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M68AW031AL70NS1U | 32K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO28 |
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| M68AW256ML70ZH6E | 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48 |
| M74HC08RM13TR | QUAD 2-INPUT AND GATE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M68AW031AM70MS6T | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M68AW031AM70MS6U | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M68AW031AM70N6 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 WIRELESS FLASH RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| M68AW031AM70N6E | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:256 Kbit (32K x8) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW031AM70N6T | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 WIRELESS FLASH RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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