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參數(shù)資料
| 型號： | M59MR032D120GC6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 26/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 352K |
| 代理商： | M59MR032D120GC6T |
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M59MR032C, M59MR032D
32/49
Table 30. Synchronous Burst Read AC Characteristics
(TA = –40 to 85°C; VDD = VDDQ = 1.65V to 2.0V)
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M59MR032
Unit
100
120
Min
Max
Max
tAVK
tAVCLKH
Address Valid to Clock
7
ns
tELK
tCELCLKH
Chip Enable Low to Clock
7
ns
tK
tCLK
Clock Period
15
16
ns
tKAX
tCLKHAX
Clock to Address Transition
E = VIL, G = VIH
10
ns
tKHKL
tCLKHCLKL
Clock High
5
ns
tKLKH
tCLKLCLKH
Clock Low
5
ns
tKRV
tRLCLKH
Clock to Wait Valid
E = VIL, G = VIL
14
18
ns
tKRX
tCLKHRX
Clock to Wait Transition
E = VIL, G = VIL
44
ns
tKQV
tCLKHQV
Clock to Data Valid
E = VIL, G = VIL
14
18
ns
tKQX
tCLKHQX
Clock to Output Transition
E = VIL
44
ns
tLLK
tAVDLCLKH
Latch Enable Low to Clock
7
ns
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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