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參數(shù)資料
| 型號： | M485L1624FT0-CB3 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| 封裝： | SODIMM-200 |
| 文件頁數(shù)： | 3/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | M485L1624FT0-CB3 |
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM
Rev. 1.2 March 2004
AC Operating Conditions
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input High (Logic 1) Voltage, DQ, DQS and DM signals
VIH(AC)
VREF + 0.31
V
3
Input Low (Logic 0) Voltage, DQ, DQS and DM signals.
VIL(AC)
VREF - 0.31
V
3
Input Differential Voltage, CK and CK inputs
VID(AC)
0.7
VDDQ+0.6
V
1
Input Crossing Point Voltage, CK and CK inputs
VIX(AC)
0.5*VDDQ-0.2
0.5*VDDQ+0.2
V
2
Note 1. VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input on CK.
2. The value of VIX is expected to equal 0.5*VDDQ of the transmitting device and must track variations in the DC level of the same.
3. These parameters should be tested at the pim on actual components and may be checked at either the pin or the pad in simula-
tion. the AC and DC input specificatims are refation to a Vref envelope that has been bandwidth limited 20MHz.
Output Load Circuit (SSTL_2)
Output
Z0=50
CLOAD=30pF
VREF
=0.5*VDDQ
RT=50
Vtt=0.5*VDDQ
Input/Output Capacitance
(VDD=2.5V, VDDQ=2.5V, TA= 25
°C, f=1MHz)
Parameter
Symbol
M470L1624FT0
M470L3224FT0
M485L1624FT0
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Input capacitance(A0 ~ A12, BA0 ~ BA1,RAS,CAS,WE )
CIN1
41
454957
4145
pF
Input capacitance(CKE0, CKE1)
CIN2
34
38
42
50
34
38
pF
Input capacitance( CS0, CS1)
CIN3
34
384250
3438
pF
Input capacitance( CLK0, CLK1,CLK2)
CIN4
25
30
25
30
25
30
pF
Input capacitance(DM0~DM7,DM8(for ECC))
CIN5
6
7
6
7
6
7
pF
Data & DQS input/output capacitance(DQ0~DQ63)
Cout1
6
7
6
7
6
7
pF
Data input/output capacitance (CB0~CB7)
Cout2
-
6
7
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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