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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M312L2828ET0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CTV 6C 6#20 PIN PLUG |
| 中文描述： | DDR SDRAM的注冊(cè)模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 22/23頁 |
| 文件大小： | 448K |
| 代理商： | M312L2828ET0 |
DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
Revision 1.4 February, 2004
Units : Inches (Millimeters)
Tolerances :
±
0.005(.13) unless otherwise specified
The used device is 32Mx8, 64Mx4 DDRSDRAM, TSOPII
SDRAM Part No. : K4H560838E, K4H560438E
0.050
(1.270)
0.0078
±
0.006
(0.20
±
0.15)
0
(
Detail B
0.250
(6.350)
Detail A
0.157
(4.00)
0.071
(1.80)
0.039
±
0.002
(1.000
±
0.050)
(3.80)
2.175
(6.62)
0.26
0.1496
(3.00)
0.118
R (2.00)
0.0787
(4.00)
0.1575
0.10
C
B
A
M
M
A
B
REG
PLL
A
B
5.25
± 0.005
(133.350
± 0.13
)
5.171
(131.350)
(
1
5.077
(128.950)
0
(
0
(
(19.80)
0.78
(
0
2.500
0.10 M
C
B
A
R (2.00)
0.0787
(3.00)
0.118
REG
0.157 Max
(3.99 Max)
0.050
±
0.0039
(1.270
±
0.10)
(
(
(
Physical Dimensions: 64Mx72 (M312L6423ETS), (M312L6420ETS)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M312L3223ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6420ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6423ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M383L2828ET1 | DDR SDRAM Registered Module |
| M383L3223ETS | DDR SDRAM Registered Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M312L2828ET0-CB000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512MDDRSTK_SMDDR SDRAM MODULX72TSOP2-400 - Bulk |
| M312L2920BG0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L2920BG0-A2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L2920BG0-B0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L2920BG0-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
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