參數(shù)資料
型號(hào)： M30855FWTGP
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 32-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP144
封裝： 20 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-144
文件頁數(shù)： 93/94頁
文件大?。?/td> 923K
代理商： M30855FWTGP
REVISION HISTORY
Rev.
Date
Description
Page
Summary
M32C/85 Group (M32C/85, M32C/85T) Datasheet
A-4
65
Table 5.28 Memory Expansion Mode and Microprocessor Mode tac1(AD-DB)
expression modified
77
Table 5.44 Electrical Characteristics ICC standard value revised
80
Table 5.47 Flash Memory Electrical Characteristics Topr value modified
All pages Package code changed: 144P6Q-A to PLQP0144KA-A, 100P6Q-A to
PLQP0100KB-A, 100P6S-A to PRQP0100JB-A
All pages "Low Voltage Detection Reset" changed to "Brown-out Detection Reset"
Special Function Register (SFR)
27
The G0RB register Value after reset modified
39
The TCSPR register Value after reset modified
Electrical Characteristics
47
Table 5.2 Electrical Characteristics Parameter f(BCLK) and its values added
51
Table 5.6 Flash Memory Version Electrical Characteristics Mesurement
condition changed
53
Table 5.10 Memory Expansion Mode and Microprocessor Mode
tac1(RD-DB)
expression on Note 1 modified;
tac2(RD-DB) expression on Note 1 added
59
Figure 5.3 VCC1=VCC2=5V Timing Diagram (1)
tw(ER) expression on Note 3
modified;
tcyc expression added
60
Figure 5.4 VCC1=VCC2=5V Timing Diagram (2)
tac2(AD-DB) expression on Note
1 modified;
th(ALE-AD) expressions on Notes 1 and 2 modified; tcyc expression
added
65
Table 5.28 Memory Expansion Mode and Microprocessor Mode
tac1(RD-DB)
expression on Note 1 modified;
tac2(RD-DB) expression on Note 1 added
70
Figure 5.7 VCC1=VCC2=3.3V Timing Diagram (1)
tw(ER) expression on Note 3
modified;
tcyc expression added
71
Figure 5.8 VCC1=VCC2=3.3V Timing Diagram (2)
tac2(RD-DB) expression on
Note 1 modified;
th(ALE-AD) expressions on Notes 1 and 2 modified; th(WR-CS)
expression on Note 2 modified;
tcyc expression added
76
Table 5.43 Electrical Characteristics Parameter f(BCLK) and its values added
80
Table 5.47 Flash Memory Version Electrical Characteristics Mesurement
condition changed
1.21 Jul.01, 2005
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M30853FHGP 32-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
M30853FJFP 32-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
M30853FJGP 32-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
M30853FHFP 32-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
M30853MW-XXXGP 32-BIT, MROM, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M30855MW-XXXGP 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:SINGLE-CHIP 16/32-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M30865FJGP 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:SINGLE-CHIP 16/32-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M30865FJGP#D5 功能描述:IC M32C MCU FLASH 512K 100-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C™ M32C/80/86 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位 速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤
M30865FJGP#U3 功能描述:IC M32C MCU FLASH 144LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C™ M32C/80/86 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位 速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤
M30865FJGP#U5 功能描述:IC M32C/86 MCU FLASH 144LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C™ M32C/80/86 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位 速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤
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