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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M30263M8A-XXXFP-U3 |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO42 |
| 封裝： | 8.40 X 17.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, SSOP-42 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 215/352頁(yè) |
| 文件大小： | 2423K |
| 代理商： | M30263M8A-XXXFP-U3 |
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18. Electrical Characteristics (M16C/26T)
page 278
8
2
3
f
o
5
0
2
,
5
1
.
r
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M
0
.
1
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0
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9
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6
2
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(
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2
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C
6
1
M
Table 18.41. Flash Memory Version Electrical Characteristics (Note 1) for 100 E/W cycle products / 1,000 E/W cycle products
Note 1: When not otherwise specified, Vcc = 3.0 to5.5V; Topr = 0 to 60 °C.
Note 2: Vcc = 5V; Topr = 25 °C.
Note 3: Program and Erase Endurance refers to the number of times a block erase can be performed.
If the program and erase endurance is n (n=100, 1,000, 10,000), each block can be erased n times.
For example, if a 2Kbytes block A is erased after writing 1 word data 1,024 times, each to a different address, this
counts as one program and erase endurance. Data cannot be written to the same address more than once
without erasing the block. (Rewrite prohibited)
Note 4: Maximum number of E/W cycles for which opration is guaranteed.
Note 5: Topr = 55°C.
Note 6: When not otherwise specified, Vcc = 3.0 to 5.5V; Topr = -40 to 85°C.
Note 7: This is a standard when program or erase endurance exceeds over 1,000 times.
Word program time or block erase time up to 1,000 times is the same as program area.
Note 8: To reduce the number of program and erase endurance when working with systems requiring numerous rewrites,
write to unused word adresses within the block instead of rewrite. Erase block only after all prossible addresses
are used. For example, an 8-word program can be written 256 times maximum before erase becomes necessary.
Maintaining an equal number of erasure between block A and block B will also improve efficiency. It is improtant
to track the total number of times erasure is used.
Note 9: Should erase error occur during block erase, attempt to execute clear status register command, then clock erase
command at least three times until erase error disappears.
Note 10: When Block A or B E/W cycles exceed 1,000 (Option), select one wait state per block access. When bit 7 in
Flash memory control register 1(FMR17 in address 01B516) is set to "1", one wait state is inserted per access to
Block A or B - regardless of the value of PM17. Wait state insertion during access to all other blocks, as well as to
internal RAM, is controlled by PM17 - regardless of the setting of FMR17.
Note 11: Customers desiring Erase/Write cycle information should contact their Renesas technical support representative.
Note 12: Customers desiring E/W failure rate information should contact their Renesas technical support representative.
Word program time (Vcc=5.0V, Topr=25°C)
Block erase time
75
0.2
600
9
s
Parameter
Standard
Min.
Typ.
(Note 2)
Max
Unit
Symbol
–
0.49
s
0.79
s
1.29
s
2Kbyte block
8Kbyte block
16Kbyte block
32Kbyte block
–
Erase/Write cycle (Note 3)
100/1,000(Note 4,11)
cycle
td(SR-ES)
–
Time delay from Suspend Request until Erase Suspend
Data retention time (Note 5)
ms
year
8
20
Word program time (Vcc=5.0V, Topr=25°C)
Block erase time(Vcc=5.0V, Topr=25°C)
100
s
Parameter
Standard
Min.
Typ.
(Note 2)
Max
Unit
Symbol
–
0.3
s
(2Kbyte block)
–
Erase/Write cycle (Note 3, 8, 9)
10,000(Note 4,10)
cycle
tPS
Flash Memory Circuit Stabilization Wait Time
s
15
td(SR-ES) Time delay from Suspend Request until Erase Suspend
ms
8
tPS
Flash Memory Circuit Stabilization Wait Time
s
15
–
Data retention time (Note 5)
year
20
Table 18.42. Flash Memory Version Electrical Characteristics (Note 6) for 10,000 E/W cycle products
[Block A and Block B (Note 7)]
Erase suspend
request
(interrupt request)
FMR46
td(SR-ES)
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