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參數(shù)資料
| 型號： | M2V56S40ATP-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 32/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | M2V56S40ATP-8 |
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Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
32
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Ta=0 ~ 70
°
C, Vdd = VddQ = 3.3
±
0.3V, Vss = VssQ = 0V, unless otherwise noted)
Output Load Condition
50pF
Vout
tOLZ
tAC
tOH
tOHZ
CLK
DQ
1.4V
1.4V
6
3
0
3
3
5.4
6
-6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
3
6
3
0
0
3
3
3
3
6
7
6
6
CL=3
CL=2
CL=3
CL=2
Delay Time, Output High
impedannce from CLK
Delay Time, Output Low
impedance from CLK
Output Hold Time from CLK
Access Time from CLK
tOHZ
tOLZ
tOH
tAC
Max
Min.
Max
Min.
Max
Min.
-8
-7
Unit
Limits
Parameter
Symbol
Note. If tr (CLK rising time) is > 1ns, (tr/2 - 0.5ns) should be added to the parameters.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M312L2828ET0 | CTV 6C 6#20 PIN PLUG |
| M312L3223ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6420ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6423ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M383L2828ET1 | DDR SDRAM Registered Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S40TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
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