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參數(shù)資料
| 型號： | M2V56S30ATP-7 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 37/49頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | M2V56S30ATP-7 |
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Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
37
Write Interrupted by Write [BL=4]
CLK
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
DQM
A0-9,11
A10
A12
BA0,1
DQ
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
X
X
X
0
Y
0
D0
D0
D0
D0
1
Y
0
D0
D0
D0
D0
0
tRCD
Italic paramater
shows minimum case
ACT#0 WRITE#0
WRITE#0
interrupt
other bank
PRE#0
X
X
X
1
tRRD
ACT#1
Y
D0
D1
D1
D1
X
X
X
1
ACT#1
Y
0
WRITE#0 WRITEA#1
interrupt
same bank
interrupt
other bank
tWR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S30TP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT | 256M Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S30ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30TP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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